Unter parasitären Kapazitäten versteht man allgemein die Kapazitätseigenschaften von Induktivitäten, Widerständen, Chip-Anschlüssen und anderen Komponenten unter Hochfrequenzbedingungen.
Bei hohen Frequenzen können die durch Widerstände, Kondensatoren, Induktivitäten sowie Dioden, Transistoren und insbesondere MOSFETs entstehenden äquivalenten Kapazitäten deutlich zunehmen und dürfen nicht vernachlässigt werden.
Die parasitären Kapazitäten eines MOSFETs sind dynamische Parameter, die das Schaltverhalten des Bauelements direkt beeinflussen. Zu den wichtigen parasitären Parametern von Leistungshalbleitern gehören:
- Ciss Eingangskapazität
- Coss Ausgangskapazität
- Crss Rückübertragungskapazität
- Rg Gate-Serienersatzwiderstand
Diese Parameter müssen sowohl während der Forschung und Entwicklung als auch in der Fertigung präzise gemessen und analysiert werden.