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Produktkonfiguration
Beschreibung
Die Glasfaser Isolierte Sonde SigOFIT MOIP800P (MOIP08P) erlaubt das Messen von kleinen und großen Spannungen, mit einer Bandbreite von 800 MHz und einem Gleichtakt von bis zu 60kVpk. So kann z.B. ein Gatesignal an einem einem High-Side-FET oder IGBT bei 600 V oder sogar 1200 V gemessen werden.
Mit Micsigs exklusiver SigOFIT™ Technologie zur optischen Isolation, wird der SigOFIT-Tastkopf durch einen Laser gespeist und liefert extrem hohe CMRR und Isolationsspannung, Im Gegensatz zu herkömmlichen Sonden, die nur Hochspannungssignale testen können, kann die SigOFIT Sonde mit verschiedenen Dämpfungsspitzen verwendet werden, um Differenzmessungen mit Spannungsbereichen von ±0,5V bis ±5000V durchzuführen, wobei ein voller Messbereich und ein sehr hohes Signal-Rausch-Verhältnis erreicht wird. Halbleiterbauelemente der dritten Generation wie SiC und GaN können hohe Spannungen in wenigen Nanosekunden schalten, die sehr energiereiche Hochfrequenz Oberschwingungen enthalten. Mit dem Einsatz hochwertiger koaxialer Dämpfungsspitzen und Industrie-Standard MCX & MMCX-Stecker, unterdrücken SigOFIT-Sonden einwandfrei Schwingungen, die durch hochfrequentes Gleichtaktrauschen verursacht werden. Die Automatische Kalibierung ist in weniger als 1 Sekunde abgeschlossen und gewährleistet eine genaue Signalausgabe in Echtzeit.
Darüber hinaus verfügt die MOIP800P Sonde über eine sehr niedrige Eingangsimpedanz von < 3 pF, ein sehr hohes Gleichtaktunterdrückungsverhältnis von bis zu 110 dB und eine sehr genaue DC-Verstärkung von 1 %.
Features
- Unterstützt alle BNC-Oszilloskope
- Austauschbare Dämpfungsspitzen
- Bis zu 800 MHz Bandbreite
- 180 dB CMRR bei DC
- Über 110 dB CMRR bei 800 MHz
- 60 kVpk Gleichtaktspannungsbereich
- Bis zu ±5000V differentieller Eingangsspannungsbereich
- 1% DC-Verstärkungsgenauigkeit
- Autozero in weniger als 1 Sekunde
Anwendungsbereiche
- Entwurf von Motorantrieben und Stromrichtern
- Entwurf von GaN-, SiC-, Halb-/Vollbrückengeräten
- Entwurf von Wechselrichtern, UPS und Schaltnetzteilen
- Sicherheitsprüfung für hohe Spannungen und hohe Bandbreiten
- Bewertung von Leistungsgeräten
- Strom-Shunt-Messungen
- EMI- und ESD-Fehlerbehebung
- Floating-Messungen
Weitere Informationen
CMRR
Der SigOFIT-Tastkopf hat ein hohes Gleichtaktunterdrückungsverhältnis (CMRR) von bis zu 128dB bei 100MHz und über 108dB bei 1GHz.
GaN geeignet
Die Micsig SigOFIT Sonden wurden gezielt für GaN und ähnliche Anwendungen entwickelt. Um den hohen Anforderungen gerecht zu werden sind die Messleitungen kurz und die Eingangskapazität beträgt weniger als 3pF Eingangskapazität.
Hohe Genauigkeit
Die SigOFIT-Sonde hat hervorragende Amplituden-Frequenz-Eigenschaften, und die Genauigkeit der DC-Verstärkung ist besser als 1 %. Das maximale Grundrauschen innerhalb des Bereichs beträgt <450μVrms, und der Nullpunktdrift ist nach dem Aufwärmen kleiner als 500 μV.
Für Halbleiter der dritten Generation
SiC- und GaN-Bauteile können hohe Spannungen in wenigen Nanosekunden schalten, das Signal kann hochenergetische Hochfrequenz-Oberwellen aufweisen.
Technische Daten
| Modellvergleich | MOIP100P | MOIP200P | MOIP350P | MOIP500P | MOIP800P | MOIP1000P |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Bandbreite | 100 MHz | 200 MHz | 350 MHz | 500 MHz | 800 MHz | 1GHz |
| Anstiegszeit | ≤3,5 ns | ≤1,75 ns | ≤1ns | ≤700 PS | ≤438ps | ≤350 PS |
| SMA-Eingangsimpedanz | 1MΩ; || 10pF | 1MΩ; || 10pF | 1MΩ; || 10pF | 1MΩ; || 10pF | 1MΩ; || 10pF | 1MΩ; || 10pF |
| Ausgangsspannung | ±1,25V | ±1,25V | ±0,5V | ±0,5V | ±0,5V | ±0,5V |
| Differenzspannungsbereiche | 20X: ±25V 50X: ±62,5V 200X: ±250 V1000X: ±1250V 2000X: ±2500V 5000X: ±6250V | 20X: ±25V 50X: ±62,5V 200X: ±250 V1000X: ±1250V 2000X: ±2500V 5000X: ±6250V | 20X: ±25V 50X: ±62,5V 200X: ±250 V 1000X: ±1250V 2000X: ±2500V 5000X: ±6250V | 20X: ±10V 50X: ±25V 100X: ±50 V2000X: ±1000V 5000X: ±2500V 10000X: ±5000V | 20X: ±10V 50X: ±25V 1000X: ±500V 2000X: ±1000V 5000X: ±2500V 10000X: ±5000V | 20X: ±10V 50X: ±25V 1000X: ±500V 2000X: ±1000V 5000X: ±2500V 10000X: ±5000V |
| Rauschen | <450μVrms | <450μVrms | <450μVrms | <450μVrms | <450μVrms | <450μVrms |
| Ausbreitungsverzögerung | 15,42 ns (2 m Kabellänge) | 15,42 ns (2 m Kabellänge) | 15,42 ns (2 m Kabellänge) | 15,42 ns (2 m Kabellänge) | 15,42 ns (2 m Kabellänge) | 15,42 ns (2 m Kabellänge) |
| Stromversorgung | USB Typ-C, DC: 12 V | USB Typ-C, DC: 12 V | USB Typ-C, DC: 12 V | USB Typ-C, DC: 12 V | USB Typ-C, DC: 12 V | USB Typ-C, DC: 12 V |
| DC-Verstärkungsgenauigkeit | 1 % | 1 % | 1 % | 1 % | 1 % | 1 % |
| Gleichtaktspannungsbereich | 60kVpk | 60kVpk | 60kVpk | 60kVpk | 60kVpk | 60kVpk |
| CableLength | 2 M (Std.) (anpassbar) | 2 M (Std.) (anpassbar) | 2 M (Std.) (anpassbar) | 2 M (Std.) (anpassbar) | 2 M (Std.) (anpassbar) | 2 M (Std.) (anpassbar) |
Spezifikation Dämpfungsglieder
| Sondenspitze | Abschwächung | Differenzialer Spannungsbereich (MOIP100P/200P/350P) | Differenzialer Spannungsbereich (MOIP500P) | Differenzialer Spannungsbereich (800P/1000P) | Eingangsimpedanz |
|---|---|---|---|---|---|
| OP20 | 2X/20X | ±2,5V / ±25V | ±1V / ±10V | ±1V / ±10V | 4,47 MΩ / 4 pF |
| OP50 | 5X/50X | ±6,25V / ±62,5V | ±2,5V / ±25V | ±2,5V / ±25V | 4,19 MΩ / 2 pF |
| OP100 | 10X/100X | - | ±5V / ±50V | - | 4,10 MΩ / 2 pF |
| OP200 | 20X/200X | ±25V / ±250V | - | - | 9,03 MΩ / 2 pF |
| OP1000 | 100X/1000X | ±125V / ±1250V | - | ± 50V / ± 500V | 20,94 MΩ / 1 pF |
| OP2000 | 200X/2000X | ±250V/ ±2500V | ± 100V / ± 1000V | ± 100V / ± 1000V | 20,52 MΩ / 1 pF |
| OP5000 | 500X/5000X | ±625V / ±6250V | ± 250V / ± 2500V | ± 250V / ± 2500V | 40,82 MΩ / 2,4 pF | 40,92 MΩ / 1 pF |
| OP10000 | 1000X/10000X | N.A. | ± 500V / ± 5000V | ± 500V / ± 5000V | 40,82 MΩ / 2,4 pF |
Sondenspitzen