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Produktkonfiguration
Beschreibung
Breitbandige Bauelemente wie SiC und GaN schalten in Nanosekunden, die Busspannungen steigen kontinuierlich an und Gleichtaktstörungen werden immer schwieriger zu kontrollieren. Herkömmliche Hochspannungs-Differenztastköpfe haben Schwierigkeiten, gleichzeitig Bandbreite, Gleichtaktunterdrückung und Sicherheit zu gewährleisten.
Das MOIP1200P löst dieses Problem durch vollständige elektrische Trennung. Das Signal wird von elektrisch zu optisch umgewandelt, über Glasfaser übertragen und am Oszilloskop wieder in ein elektrisches Signal zurückgewandelt. Der Tastkopf wird lasergestützt betrieben. Da keine elektrische Verbindung zwischen dem Prüfling und dem Oszilloskop besteht, werden Masseschleifen vermieden.
Es handelt sich um das Modell mit der höchsten Bandbreite in der Micsig MOIP-Serie. In Kombination mit einem hochauflösenden Oszilloskop von Micsig bildet es ein komplettes System für Hochspannungsmessungen mit potentialfreien und isolierten Schaltungen.
Merkmale
- Isolation der dritten Generation durch SigOFIT™: Die elektrisch-optisch-elektrische Wandlung mit faseroptischer Übertragung und laserbetriebener Stromversorgung isoliert das Prüfobjekt vollständig vom Oszilloskop.
- 1,2 GHz Bandbreite, ≤ 350 ps Anstiegszeit: Die höchste Bandbreite der MOIP-Serie, 20 % mehr als beim MOIP1000P.
- Gleichtaktunterdrückung bis zu 180 dB: 180 dB bei Gleichstrom und immer noch 106 dB bei 1,2 GHz, um hochfrequente Gleichtaktschwingungen zu unterdrücken.
- 85 kVpk Gleichtaktspannung: Kombiniert mit kurzen Zuleitungen und einer Eingangskapazität von 1 pF für sicheres Testen empfindlicher Hochspannungsknoten.
- Differenzspannungsbereich ±0,01 V bis ±20 kV: Der obere Bereich wird mit optionalen Dämpfungsgliedern erreicht. Rauschpegel unter 0,45 mVrms, Gleichspannungsgenauigkeit besser als 1 %.
- ADHOMT-Lasermodulation: Analog-digitale Hybrid-Lasermodulation ohne Temperaturdrift. Keine manuelle Kalibrierung erforderlich: Einschalten und messen.
- Konzipiert für den Dauerbetrieb: Unterstützt kontinuierliche Tests rund um die Uhr (365 × 24).
- Standard-BNC-Ausgang: Kompatibel mit Oszilloskopen aller Hersteller.
Vorteile
- Eine Bandbreite von 1,2 GHz und eine Anstiegszeit von ≤ 350 ps erfassen die schnellsten Schaltflanken von GaN-Bauelementen.
- Der Gleichtaktunterdrückungswert (CMRR) bleibt auch bei 1,2 GHz bei 106 dB, sodass hochfrequente Gleichtaktschwingungen dort unterdrückt werden, wo es darauf ankommt.
- Die vollständige optische Trennung unterbricht den elektrischen Pfad zwischen Schaltung und Oszilloskop. Eine Gleichtaktspannung von 85 kVss bietet ausreichend Spielraum bei steigenden Busspannungen.
- Eine Eingangskapazität von 1 pF stört empfindliche Knoten wie GaN-Gate-Treiber nicht.
- Eine Sondenfamilie deckt den Bereich von ±0,01 V bis ±20 kV mit optionalen Dämpfungsköpfen ab, mit einem Rauschen unter 0,45 mVrms.
- Keine Temperaturdrift und keine manuelle Kalibrierung ermöglichen eine ununterbrochene Langzeitüberwachung.
- Der Standard-BNC-Ausgang ist mit den Oszilloskopen kompatibel, die Sie bereits besitzen.
Anwendungsgebiete
- Entwurf von Motorantrieben und Leistungsumrichtern
- Entwurf von GaN-, SiC-Halb-/Vollbrückenbauelementen
- Auslegung von Wechselrichtern, USV-Anlagen und Schaltnetzteilen
- Sicherheitsprüfung für Hochspannungen und hohe Bandbreiten
- Bewertung von Leistungselektronik
- Stromshuntmessungen
- Fehlersuche bei elektromagnetischen Störungen (EMI) und elektrostatischer Entladung (ESD)
- Schwimmende Messungen
Weitere Informationen
CMRR
Die SigOFIT-Sonde weist ein hohes Gleichtaktunterdrückungsverhältnis (CMRR) von bis zu 108 dB bei 1 GHz auf.
GaN geeignet
Die Micsig SigOFIT-Sonden wurden speziell für GaN und ähnliche Anwendungen entwickelt. Um den hohen Anforderungen gerecht zu werden, sind die Messleitungen kurz und die Eingangskapazität beträgt weniger als 3 pF.
Hohe Genauigkeit
Die SigOFIT-Sonde zeichnet sich durch hervorragende Amplituden-Frequenz-Eigenschaften aus, und die Genauigkeit der Gleichstromverstärkung liegt unter 1 %. Der maximale Rauschpegel innerhalb des Messbereichs beträgt <0,45 mVrms, und die Nullpunktdrift liegt unter 0,1 %.
Für Halbleiter der dritten Generation
SiC- und GaN-Bauelemente können hohe Spannungen in wenigen Nanosekunden schalten, und das Signal kann hochenergetische, hochfrequente Harmonische aufweisen.
Technische Daten
| Modellvergleich | MOIP200P | MOIP350P | MOIP500P | MOIP1000P | MOIP1200P |
|---|---|---|---|---|---|
| Bandbreite | 200 MHz | 350 MHz | 500 MHz | 1 GHz | 1,2 GHz |
| Aufstiegszeit | ≤1,5 ns | ≤1ns | ≤800ps | ≤450ps | ≤350ps |
| SMA-Eingangsimpedanz | 1 MΩ; || 10 pF | 1 MΩ; || 10 pF | 1 MΩ; || 10 pF | 1 MΩ; || 10 pF | 1 MΩ; || 10 pF |
| Ausgangsspannung | ±1,25 V | ±0,5 V | ±0,5 V | ±0,5 V | ±0,5 V |
| Differenzspannungsbereiche | 20X: ±10V 50X: ±25V 100x: ±50 V1000x: ±500 V 2000X: ±1000V 5000X: ±2500V | 20X: ±10V 50X: ±25V 100x: ±50 V 1000x: ±500 V 2000X: ±1000V 5000X: ±2500V | 20X: ±10V 50X: ±25V 100x: ±50V1000x: ±500 V 2000X: ±1000V 5000X: ±2500V 10000X: ±5000V | 20X: ±10V 50X: ±25V 1000x: ±500 V 2000X: ±1000V 5000X: ±2500V 10000X: ±5000V | 20X: ±10V 50X: ±25V 1000x: ±500 V 2000X: ±1000V 5000X: ±2500V 10000X: ±5000V |
| Lärm | <0,3 mVrms | <0,3 mVrms | <0,3 mVrms | <0,45 mVrms | <0,45 mVrms |
| Stromversorgung | USB Typ-C, Gleichstrom: 12 V | USB Typ-C, Gleichstrom: 12 V | USB Typ-C, Gleichstrom: 12 V | USB Typ-C, Gleichstrom: 12 V | USB Typ-C, Gleichstrom: 12 V |
| Genauigkeit der Gleichstromverstärkung | 1 % | 1 % | 1 % | 1 % | 1 % |
| Gleichtaktspannungsbereich | 85 kVpk | 85 kVpk | 85 kVpk | 85 kVpk | 85 kVpk |
| Kabellänge | 2 m (anpassbar) | 2 m (anpassbar) | 2 m (anpassbar) | 2 m (anpassbar) | 2 m (anpassbar) |
Spezifikationsdämpfer
| Sondenspitze | Dämpfung | Differenzspannungsbereich (MOIP200P/350P/500P/1000P/1200P) | Eingangsimpedanz |
|---|---|---|---|
| OP20 | 2X/20X | ±1 V / ±10 V | 4,47 MΩ || ≤ 4 pF |
| OP50 | 5x/50x | ±2,5 V / ±25 V | 4,19 MΩ || ≤ 2 pF |
| OP100 | 10x/100x | ±5 V / ±50 V | 4,10 MΩ || ≤ 2 pF |
| OP200 | 20x/200x | ±10 V / ±100 V | 8MΩ || ≤ 1pF |
| OP500 | 50x/500x | ±25 V / ±250 V | 5MΩ || ≤ 1pF |
| OP1000 | 100x/1000x | ±50 V / ±500 V | 20,94 MΩ || ≤ 1 pF |
| OP2000 | 200X/2000X | ± 100 V / ± 1000 V | 20,52 MΩ || ≤ 1 pF |
| OP5000 | 500X/5000X | ± 250 V / ± 2500 V | 40,82 MΩ || ≤1 pF |
| OP10000 | 1000X/10000X | ± 500 V / ± 5000 V | 40,82 MΩ || ≤ 1 pF |
| OP20000 | 2000X/20000X | ±1000 V / ±10000 V | 120 MΩ / 2 pF |
| OP30000 | 3000X/30000X | ±1500 V / ±15000 V | 180 MΩ / 1 pF |
| OP40000 | 4000X/40000X | ±2000 V / ±20000 V | 240 MΩ / 1 pF |
| OP5000-RF | 500X/5000X | ±250 V / ±2500 V |
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