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Produktkonfiguration
Beschreibung
Die faseroptisch isolierte Sonde SigOFIT Gen 3 MOIP200P (MOIP02P) ermöglicht die Messung von niedrigen und hohen Spannungen mit einer Bandbreite von 200 MHz und einem Gleichtaktpegel von bis zu 85 kVpk.
Dank Micsigs exklusiver optischer Isolationstechnologie SigOFIT™ wird die SigOFIT-Sonde laserbetrieben und liefert extrem hohe Gleichtaktunterdrückung (CMRR) und Isolationsspannung. Im Gegensatz zu herkömmlichen Differenzialsonden, die nur Hochspannungssignale messen können, ermöglicht die SigOFIT-Sonde mit verschiedenen Dämpfungsspitzen die Messung von Differenzsignalen in Spannungsbereichen von ±0,01 V bis ±20 kV. Dadurch wird ein voller Messbereich und ein sehr hohes Signal-Rausch-Verhältnis erzielt. Halbleiterbauelemente der dritten Generation wie SiC und GaN können hohe Spannungen in wenigen Nanosekunden schalten, die hochenergetische, hochfrequente Oberschwingungen enthalten. Durch die Verwendung hochwertiger koaxialer Dämpfungsspitzen und branchenüblicher MCX- und MMCX-Steckverbinder unterdrücken SigOFIT-Sonden die durch hochfrequentes Gleichtaktrauschen verursachten Schwingungen perfekt.
Im Gegensatz zu Sonden der vorherigen Generation ermöglicht die SigOFIT Gen 3-Serie kalibrierungsfreie Messungen und benötigt keine automatische Nullpunktjustierung. Dies reduziert die Einrichtungszeit und ermöglicht es Ingenieuren, sofort mit den Messungen zu beginnen, bei gleichzeitig hervorragender Genauigkeit und Langzeitstabilität.
Darüber hinaus verfügt die MOIP200P-Sonde über eine sehr niedrige Eingangsimpedanz von < 3 pF, ein sehr hohes Gleichtaktunterdrückungsverhältnis von bis zu 122 dB und eine sehr genaue Gleichstromverstärkung von 1%.
Merkmale
- Unterstützt alle BNC-Oszilloskope
- Austauschbare Dämpfungsspitzen
- 200 MHz Bandbreite
- 180 dB Gleichtaktunterdrückung bei Gleichstrom
- Gleichtaktunterdrückung (CMRR) von über 122 dB bei 200 MHz
- 85 kVspk Gleichtaktspannungsbereich
- Differenzeingangsspannungsbereich bis zu ±20 kV
- 1% Gleichstromverstärkungsgenauigkeit
- Verbesserte Temperaturstabilität
- Kalibrierungsfreie Messungen
- Keine automatische Nullstellung erforderlich
- Keine Temperaturdrift
- Der laserbetriebene Betrieb ermöglicht unterbrechungsfreie, hochpräzise Tests.
- Faserlänge: 2 m (anpassbare Faserlänge möglich).
- Kompatibel mit verschiedenen Dämpfungsgliedern, unterstützt Messungen von ±0,01 V bis ±20 kV (Differenzsignale; Messspannungsbereich ist anpassbar).
- Unterstützt direkte SMA-basierte Kleinsignalmessungen mit integrierter 2:1-Dämpfung.
Anwendungsgebiete
- Entwurf von Motorantrieben und Leistungsumrichtern
- Entwurf von GaN-, SiC-Halb-/Vollbrückenbauelementen
- Auslegung von Wechselrichtern, USV-Anlagen und Schaltnetzteilen
- Sicherheitsprüfung für Hochspannungen und hohe Bandbreiten
- Bewertung von Leistungselektronik
- Stromshuntmessungen
- Fehlersuche bei elektromagnetischen Störungen (EMI) und elektrostatischer Entladung (ESD)
- Schwimmende Messungen
Weitere Informationen
CMRR
Die SigOFIT-Sonde weist ein hohes Gleichtaktunterdrückungsverhältnis (CMRR) von bis zu 122 dB bei 200 MHz auf.
GaN geeignet
Die Micsig SigOFIT-Sonden wurden speziell für GaN und ähnliche Anwendungen entwickelt. Um den hohen Anforderungen gerecht zu werden, sind die Messleitungen kurz und die Eingangskapazität beträgt weniger als 3 pF.
Hohe Genauigkeit
Die SigOFIT-Sonde zeichnet sich durch hervorragende Amplituden-Frequenz-Eigenschaften aus, und die Genauigkeit der Gleichstromverstärkung liegt unter 1 %. Der maximale Rauschpegel innerhalb des Messbereichs beträgt <0,3 mVrms, und die Nullpunktdrift liegt unter 0,1 %.
Für Halbleiter der dritten Generation
SiC- und GaN-Bauelemente können hohe Spannungen in wenigen Nanosekunden schalten, und das Signal kann hochenergetische, hochfrequente Harmonische aufweisen.
Technische Daten
| Modellvergleich | MOIP200P | MOIP350P | MOIP500P | MOIP1000P |
|---|---|---|---|---|
| Bandbreite | 200 MHz | 350 MHz | 500 MHz | 1 GHz |
| Aufstiegszeit | ≤1,5 ns | ≤1ns | ≤800ps | ≤450ps |
| SMA-Eingangsimpedanz | 1 MΩ; || 10 pF | 1 MΩ; || 10 pF | 1 MΩ; || 10 pF | 1 MΩ; || 10 pF |
| Ausgangsspannung | ±1,25 V | ±0,5 V | ±0,5 V | ±0,5 V |
| Differenzspannungsbereiche | 20X: ±10V 50X: ±25V 100x: ±50 V1000x: ±500 V 2000X: ±1000V 5000X: ±2500V | 20X: ±10V 50X: ±25V 100x: ±50 V 1000x: ±500 V 2000X: ±1000V 5000X: ±2500V | 20X: ±10V 50X: ±25V 100x: ±50 V1000x: ±500 V 2000X: ±1000V 5000X: ±2500V 10000X: ±5000V | 20X: ±10V 50X: ±25V 1000x: ±500 V 2000X: ±1000V 5000X: ±2500V 10000X: ±5000V |
| Lärm | <0,3 mVrms | <0,3 mVrms | <0,3 mVrms | <0,3 mVrms |
| Laufzeitverzögerung | 15,42 ns (2 m Kabellänge) | 15,42 ns (2 m Kabellänge) | 15,42 ns (2 m Kabellänge) | 15,42 ns (2 m Kabellänge) |
| Stromversorgung | USB Typ-C, Gleichstrom: 12 V | USB Typ-C, Gleichstrom: 12 V | USB Typ-C, Gleichstrom: 12 V | USB Typ-C, Gleichstrom: 12 V |
| Genauigkeit der Gleichstromverstärkung | 1 % | 1 % | 1 % | 1 % |
| Gleichtaktspannungsbereich | 85 kVpk | 85 kVpk | 85 kVpk | 85 kVpk |
| Kabellänge | 2 M (Std.) (anpassbar) | 2 M (Std.) (anpassbar) | 2 M (Std.) (anpassbar) | 2 M (Std.) (anpassbar) |
Spezifikationsdämpfer
| Sondenspitze | Dämpfung | Differenzspannungsbereich (MOIP200P/350P) | Differenzspannungsbereich (MOIP500P) | Differenzspannungsbereich (MOIP1000P) | Eingangsimpedanz |
|---|---|---|---|---|---|
| OP20 | 2X/20X | ±1 V / ±10 V | ±1 V / ±10 V | ±1 V / ±10 V | 4,47 MΩ || ≤ 4 pF |
| OP50 | 5x/50x | ±2,5 V / ±25 V | ±2,5 V / ±25 V | ±2,5 V / ±25 V | 4,19 MΩ || ≤ 2 pF |
| OP100 | 10x/100x | ±5 V / ±50 V | ±5 V / ±50 V | ±5 V / ±50 V | 4,10 MΩ || ≤ 2 pF |
| OP1000 | 100x/1000x | ±50 V / ±500 V | ±50 V / ±500 V | ± 50 V / ± 500 V | 20,94 MΩ || ≤ 1 pF |
| OP2000 | 200X/2000X | ± 100 V / ± 1000 V | ± 100 V / ± 1000 V | ± 100 V / ± 1000 V | 20,52 MΩ || ≤ 1 pF |
| OP5000 | 500X/5000X | ± 250 V / ± 2500 V | ± 250 V / ± 2500 V | ± 250 V / ± 2500 V | 40,82 MΩ || ≤1 pF |
| OP10000 | 1000X/10000X | ± 500 V / ± 5000 V | ± 500 V / ± 5000 V | ± 500 V / ± 5000 V | 40,82 MΩ || ≤ 1 pF |
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